应材料科学与工程学院李洋教授邀请，在金宝搏188手机登录网站部支持下，韩国浦项科技大学讲席教授、韩国国家工程院院士、韩国科学技术翰林院院士Yong-Young Noh教授于2026年7月16日举行学术讲座，欢迎感兴趣的师生参加。

讲座时间：2026年7月16日（星期四）9:00

讲座地点：材料楼220会议室

Yong-Young Noh教授个人简介：

Yong-Young Noh教授是韩国国家工程院院士，韩国科学技术翰林院院士，韩国浦项科技大学杰出教授。在Nature、Nature Electronics等科研期刊上多次发表论文，谷歌学术引用26000余次。并荣获韩国政府科学技术奖章Doyak勋章，韩国科学家奖，KOPTRI聚合物奖，默克奖，UDC先锋奖，IMID青年金奖等。

报告题目：面向晶体管应用的高性能 p 型半导体开发

开发可通过低温、硅兼容工艺制备的高迁移率 p 型半导体，一直是电子学领域面临的重要挑战；这类材料对于将互补电子器件与已成熟发展的 n 型器件体系集成至关重要。本报告将介绍我们近期在开发高性能 p 型半导体薄膜晶体管沟道材料方面的进展。报告第一部分将介绍一种非晶 p 型氧化物半导体：该材料由硒合金化碲嵌入亚氧化碲基体构成，可用于制备高性能、稳定的 p 沟道薄膜晶体管及互补电路。理论分析表明，碲 5p 能带形成离域化价带，并具有浅受主态，从而有利于过量空穴掺杂与传输。硒合金化能够抑制空穴浓度并促进 p 轨道连通性，使 p 沟道薄膜晶体管实现约 15 cm² V⁻¹ s⁻¹ 的平均场效应空穴迁移率和 10⁶-10⁷ 的开关电流比，同时具备晶圆级均匀性，以及在偏压应力和环境老化条件下的长期稳定性。随后，报告将介绍基于锡（Sn²⁺）卤化物钙钛矿的高性能 p 型晶体管，其半导体层采用铯锡三碘化物材料。优化后的器件表现出超过 50 cm² V⁻¹ s⁻¹ 的高场效应空穴迁移率、超过 10⁸ 的大电流调制比，以及优异的运行稳定性和可重复性。此外，我们还通过铯-甲脒-苯乙胺三重 A 位阳离子体系构筑高质量级联 Sn 钙钛矿沟道薄膜，使优化后的薄膜晶体管获得超过 70 cm² V⁻¹ s⁻¹ 的创纪录空穴迁移率和超过 10⁸ 的开关电流比，可与商用低温多晶硅技术水平相媲美。最后，报告还将简要介绍我们近期采用热蒸发法制备的卤化物钙钛矿晶体管。

材料科学与工程学院

金宝搏188手机登录网站部

2026年7月13日

图文 | 何可心 李洋

编辑 | 何可心

初审 | 高一帆

复审 | 杨宗义

终审 | 吴健